氮化镓快充
- 氮化镓(GaN)材料在快速充电技术中的应用主要基于其两个基本机制:减少功率损耗和缩小元件尺寸。
氮化镓具有高电子迁移率,可以有效地处理高频操作,此特性在快速充电技术中至关重要,其中高频开关对于功率转换是必需的。同时,氮化镓具有高击穿电压,可以处理高电压电平而不会击穿,此属性在高压常见的电力电子应用中特别有用。另外,氮化镓具有优异的导热性,这确保了它且有效地散热,此特性在快速充电技术中很重要,充电过程中产生的热量会降低效率并损坏组件。与硅等传统材料相比,氮化镓对电流的电阻更低,这一特性导致充电过程中的功率损耗更低,产生的热量更少,从而实现更的充电。